DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 220 mA 0.36 W X2-DFN0806-6
- RS Best.-Nr.:
- 254-8637
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP32D9UDAQ-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
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- 254-8637
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP32D9UDAQ-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 220mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | X2-DFN0806-6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Durchlassspannung Vf | -0.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 220mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße X2-DFN0806-6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Durchlassspannung Vf -0.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Er ist für allgemeine Anwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, niedrige Eingangskapazität, halogen- und antimonfreies ESD-geschütztes Gate
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