DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.36 W X2-DFN0806-6
- RS Best.-Nr.:
- 254-8638
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP32D9UDAQ-7B
- Marke:
- DiodesZetex
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 254-8638
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP32D9UDAQ-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | X2-DFN0806-6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße X2-DFN0806-6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Er ist für allgemeine Anwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, niedrige Eingangskapazität, halogen- und antimonfreies ESD-geschütztes Gate
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