DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 100 V / 26 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 254-8656
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H032LFVWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- 254-8656
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H032LFVWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Er ist gemäß AEC-Q101 qualifiziert, wird durch einen PPAP unterstützt und ist ideal für den Einsatz in Hinterleuchtung, DC/DC-Wandlern und Leistungsmanagementfunktionen
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand bei nasser Tischflanke für verbesserte optische Inspektion Geringe Schaltverluste, halogen- und antimonfrei
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