Vishay IRFD9120 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP

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256-7285
Herst. Teile-Nr.:
IRFD9120PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IRFD9120

Gehäusegröße

HVMDIP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.33Zoll

Länge

0.29Zoll

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein preiswertes, maschinell einsetzbares Gehäuse, das in mehreren Kombinationen auf Standard-0,1-poligen Zentren gestapelt werden kann.

Dynamische dv/dt-Nennleistung

Wiederholbare Lawinenbeständigkeit

Für automatisches Einsetzen

Endstapelbar

P-Kanal

175 °C Betriebstemperatur

Schnelles Schalten

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