Vishay IRLD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 1.3 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP

Nicht verfügbar
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Verpackungsoptionen:

Alternative

Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:

RS Best.-Nr.:
543-0484
Herst. Teile-Nr.:
IRLD120PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IRLD

Gehäusegröße

HVMDIP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

270mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±10 V

Durchlassspannung Vf

2.5V

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.29 mm

Höhe

3.37mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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