Vishay IRFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP

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RS Best.-Nr.:
541-1039
Herst. Teile-Nr.:
IRFD110PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IRFD

Gehäusegröße

HVMDIP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

540mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.3nC

Durchlassspannung Vf

2.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.29mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

3.37mm

Automobilstandard

Nein

MERKMALE

• TrenchFET ® Leistungs-MOSFET

• Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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