Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

RS Best.-Nr.:: 919-4498
Herst. Teile-Nr.:: IRFD110PBF
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

Preis pro Stück (In einer Stange von 100)**

0,748 €

(ohne MwSt.)

0,89 €

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Stück	Pro Stück	Pro Stange**
100 - 100	0,748 €	74,80 €
200 - 400	0,703 €	70,30 €
500 +	0,636 €	63,60 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 919-4498
Herst. Teile-Nr.:: IRFD110PBF
Marke:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
Application Note - Current Rating of Power Semiconductors
Package Information
Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	1 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	HVMDIP
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	540 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	1,3 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	5mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,3 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	6.29mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	3.37mm

Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

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N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor

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