Teile-Nr.

Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 1,6 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

RS Best.-Nr.:: 919-4491
Herst. Teile-Nr.:: IRFD9024PBF
Marke:: Vishay

Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 1,6 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

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RS Best.-Nr.:: 919-4491
Herst. Teile-Nr.:: IRFD9024PBF
Marke:: Vishay

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	1,6 A
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Gehäusegröße	HVMDIP
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand max.	280 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung min.	2V
	Verlustleistung max.	1,3 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	19 nC @ 10 V
	Länge	5mm
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Transistor-Werkstoff	Si
	Breite	6.29mm
	Höhe	3.37mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. 1,6 A
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Gehäusegröße HVMDIP
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand max. 280 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung min. 2V
	Verlustleistung max. 1,3 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC @ 10 V
	Länge 5mm
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Transistor-Werkstoff Si
	Breite 6.29mm
	Höhe 3.37mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Ursprungsland:: PH

Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 1,6 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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