Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 1.3 A, 4-Pin HVMDIP
- RS Best.-Nr.:
- 178-0923
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLD120PBF
- Marke:
- Vishay
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- IRLD120PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | HVMDIP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 270mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10/10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 6.29 mm | |
| Höhe | 3.37mm | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße HVMDIP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 270mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10/10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 6.29 mm | ||
Höhe 3.37mm | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||