Vishay P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 700 mA 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

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RS Best.-Nr.:
178-0920
Herst. Teile-Nr.:
IRFD9110PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

700 mA

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

HVMDIP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

1,2 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

1,3 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

8,7 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

6.29mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

3.37mm

P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor


Die Vishay Leistungs-MOSFETs der dritten Generation bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schneller Schaltung, robustem Gerätedesign, geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein kostengünstiges maschineneinsetzbares Gehäuse, das in mehreren Kombinationen auf Standard 0,1-Zoll-Stiftmitten gestapelt werden kann.

Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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