Vishay IRFU310 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 400 V / 1.7 A 25 W, 3-Pin IPAK

RS Best.-Nr.:: 256-7320
Herst. Teile-Nr.:: IRFU310PBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFU310 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 400 V / 1.7 A 25 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:: 256-7320
Herst. Teile-Nr.:: IRFU310PBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	400V
	Serie	IRFU310
	Gehäusegröße	IPAK
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.6Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	12nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	25W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.6V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Höhe	2.39mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 400V
	Serie IRFU310
	Gehäusegröße IPAK
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.6Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 25W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.6V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Höhe 2.39mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFU310PBF

Leistungs-MOSFET der Serie IRFU310 von Vishay, 400 V Drain-Source-Spannung, 1,7 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFU310PBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschalttransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste thermische Toleranz und ein kontrolliertes Gate-Verhalten erforderlich sind. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für die Leistungsumwandlung und Hochspannungsschaltkreise, die einen geringen Dauerstrom und einen konservativen Einschaltwiderstand erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 400-V-Drain-to-Source-Fähigkeit unterstützt Hochspannungsanwendungen
• 3,6 Ω Rds-On reduziert Leitungsverluste bei Schwachstromkonstruktionen
• Die Verlustleistung von 25 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 1,7 A kontinuierlicher Ablassstrom für moderate Belastungsanforderungen
• 12 nC typische Gate-Ladung sorgt für schnelleres Schalten mit geringerem Antrieb
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht flexible Gate-Treiber-Auswahl

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für die Motorsteuerung in Schwachstromsystemen
• Wird für Beleuchtungsvorrichtungen und LED-Treiberstufen verwendet
• Kann für Zwischenstromwandler verwendet werden
• Wird mit Wärmemanagement für kompakte Leistungsmodule verwendet

Welche Montageanordnung erfordert er auf einer Platine?

Er wird in einem oberflächenmontierten Gehäuse im IPAK-Stil geliefert, das die gelötete Befestigung an einer Leiterplatte erleichtert und die Wärmeübertragung durch den Gehäusekörper unterstützt.

Wie verträgt es extreme Umgebungstemperaturen während des Betriebs?

Das Gerät ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu +150 °C ausgelegt, was den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen ermöglicht.

Welche Gate-Treiber-Beschränkung müssen Entwickler beachten?

Die Gate-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um eine Überbelastung des Gate-Oxids zu vermeiden

sollten die Konstrukteure eine geeignete Gate-Drive-Klemmung oder Pegelverschiebung bereitstellen.

Gibt es Umwelt- oder Materialbeschränkungen, die für die Beschaffung relevant sind?

Die Komponente erfüllt die RoHS-Anforderungen, was auf die eingeschränkte Verwendung bestimmter gefährlicher Stoffe bei der Herstellung hinweist.