Vishay IRFU420 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.4 A 42 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 152-6352
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU420PBF
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
8,36 €
(ohne MwSt.)
9,95 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 2.240 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,836 € | 8,36 € |
| 100 - 240 | 0,812 € | 8,12 € |
| 250 - 490 | 0,792 € | 7,92 € |
| 500 - 990 | 0,773 € | 7,73 € |
| 1000 + | 0,754 € | 7,54 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 152-6352
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU420PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Serie | IRFU420 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Serie IRFU420 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFU420 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 500 V, maximale Verlustleistung 42 W – IRFU420PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der zum Schalten und Steuern der Stromversorgung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät, das für oberflächenmontierte Baugruppen geeignet ist und den RoHS-Umweltstandards entspricht. Die Komponente ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine hohe Blockierungsspannung und eine moderate Strombelastbarkeit bei hohen Betriebstemperaturen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 500 V Drain-to-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 3 Ω Rds(on) sorgt für eine vorhersehbare Steuerung der Leitungsverluste
• 2,4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen Anwendungen mit mittlerer Belastung
• Maximale Verlustleistung von 42 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz
• 19 nC typische Gate-Ladung bei Vgs sorgt für vorhersehbare Schaltenergie
• Die Gate-Source-Toleranz von ±20 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
• 3 Ω Rds(on) sorgt für eine vorhersehbare Steuerung der Leitungsverluste
• 2,4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen Anwendungen mit mittlerer Belastung
• Maximale Verlustleistung von 42 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz
• 19 nC typische Gate-Ladung bei Vgs sorgt für vorhersehbare Schaltenergie
• Die Gate-Source-Toleranz von ±20 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
Anwendungen
• Geeignet für Schaltstufen von Hochspannungsnetzteilen
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Gate-Stufen
• Einsatz mit Gleichspannungswandlern in Umgebungen mit erhöhten Temperaturen
• Kann für elektronische Last- und Schutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für SMPS und Power-Management-Module
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Gate-Stufen
• Einsatz mit Gleichspannungswandlern in Umgebungen mit erhöhten Temperaturen
• Kann für elektronische Last- und Schutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für SMPS und Power-Management-Module
Welchem Temperaturbereich kann er im Betrieb standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Welche Verpackungsform sollte ich für die Montage erwarten?
Das Gerät wird in einem oberflächenmontierbaren IPAK-Gehäuse geliefert, das mit drei Stiften für eine einfache Leiterplattenmontage konfiguriert ist.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf den Niederspannungsbetrieb aus?
Die Durchlassspannung von 1,6 V kennzeichnet die Leitung über das Gerät unter vorgespannten Bedingungen und beeinflusst den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand in Niederspannungsstromkreisen.
Ist diese Komponente für Automobilanwendungen vorgesehen?
Es ist nicht nach Automobilstandards klassifiziert, daher sollte es vor dem Einsatz in Automobilsystemen anhand von Fahrzeugspezifischen Qualifikationsanforderungen bewertet werden.
Verwandte Links
- Vishay IRFU Typ N-Kanal 3-Pin IPAK
- Vishay IRFU Typ P-Kanal 3-Pin IPAK
- Vishay IRFU Typ N-Kanal 3-Pin IPAK
- Vishay IRFU Typ N-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin IPAK
- Vishay IRLU Typ N-Kanal 3-Pin IPAK
- onsemi QFET Typ N-Kanal 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 70 W, 3-Pin IPAK