Vishay IRFU1N60A N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 1.4 A 36 W, 3-Pin IPAK

RS Best.-Nr.:: 812-0660
Herst. Teile-Nr.:: IRFU1N60APBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFU1N60A N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 1.4 A 36 W, 3-Pin IPAK

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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	IRFU1N60A
	Gehäusegröße	IPAK
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	14nC
	Durchlassspannung Vf	1.6V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	36W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.73mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	2.39mm
	Höhe	6.22mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie IRFU1N60A
	Gehäusegröße IPAK
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC
	Durchlassspannung Vf 1.6V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 36W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.73mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 2.39mm
	Höhe 6.22mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: MY

Leistungs-MOSFET der Serie IRFU1N60A von Vishay, 600 V Drain-Source-Spannung, 1,4 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFU1N60APBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für die Durchsteckmontage in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Ablass-Quellenspannung und einen moderaten Gleichstrom erfordern, und arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen. Das Gerät ist RoHS-konform und wird in einem IPak-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• 600 V Drain-Source-Spannung für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 1.4 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung moderater Lastströme
• Maximale Rds(on) von 7 Ω reduziert Leitungsverluste bei geringen Strömen
• 36 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 14 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effizientes Gate-Drive-Verhalten
• Gate-Source-Festigkeit bis zu 30 V für eine robuste Steuerspannungsspanne

Anwendungen

• Geeignet für Offline-Stromversorgungen, die Hochspannungsschalter erfordern
• Wird für die Beleuchtung von Vorschaltgeräten und Lampensteuerungsschaltkreisen verwendet
• Ideal für die Gate-Stufe des Motorantriebs in Systemen mit geringem Stromverbrauch
• Kann für Dämpfer- oder Klemmschalterfunktionen in Wandlern verwendet werden
• Wird mit Sensoren und Messfrontplatten verwendet, die hohe Vds erfordern

Welche thermischen Extreme kann das Gerät im Betrieb tolerieren?

Es arbeitet von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in industriellen und hochtemperaturbeständigen Baugruppen.

Wie ist der Transistor auf der Platine montiert?

Er ist für die Durchsteckmontage in einem IPak-Gehäuse für einen sicheren mechanischen Halt vorgesehen.

Wie hoch ist die typische Durchlassspannung in Leitungs-Szenarien?

Das Gerät weist unter den angegebenen Prüfbedingungen für die Body-Diode-Leitung eine Durchlassspannung von 1,6 V auf.

Erfordert das Gate aufgrund der Ladung besondere Antriebsaspekte?

Mit einer typischen Gate-Ladung von 14 nC sollten Gate-Treiber so ausgewählt werden, dass sie ausreichend Strom für die beabsichtigte Schaltgeschwindigkeit ohne übermäßige Antriebsverluste liefern.