Vishay IRFU N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4.3 A 25 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 708-4831
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU110PBF
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
8,07 €
(ohne MwSt.)
9,60 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 20 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
- Zusätzlich 2.940 Einheit(en) mit Versand ab 09. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,807 € | 8,07 € |
| 100 - 240 | 0,728 € | 7,28 € |
| 250 - 490 | 0,671 € | 6,71 € |
| 500 - 990 | 0,629 € | 6,29 € |
| 1000 + | 0,525 € | 5,25 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 708-4831
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU110PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IRFU | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.54Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 100V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Breite | 2.38mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IRFU | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.54Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 100V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Breite 2.38mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRFU N-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay N-Kanal Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 4.3 A 25 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi N-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- STMicroelectronics MDmesh N-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay Typ P-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi Einfach SuperFET II N-Kanal 1 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi UniFET N-Kanal5 A 90 W, 3-Pin IPAK (TO-251)