onsemi Einfach 1, Durchsteckmontage MOSFET 60 V Erweiterung / 9.4 A 2.5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 671-5335
- Herst. Teile-Nr.:
- FQU11P06TU
- Marke:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 671-5335
- Herst. Teile-Nr.:
- FQU11P06TU
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 185mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 185mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Verstärkungsmodus P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor
Die P-Kanal-MOSFETs von ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semis mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten.
Merkmale und Vorteile:
• Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignal-Schalter
• Zellendesign mit hoher Dichte
• Hoher Sättigungsstrom
• Überlegenes Schalten
• Sehr robuste und zuverlässige Leistung
• DMOS-Technologie
Anwendungen:
• Lastumschaltung
• DC/DC-Wandler
• Batterieschutz
• Stromverwaltungssteuerung
• DC-Motorsteuerung
MOSFET-Transistoren, ON Semi
><
Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.