onsemi Einfach 1, Durchsteckmontage MOSFET 60 V Erweiterung / 9.4 A 2.5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 671-5335
- Herst. Teile-Nr.:
- FQU11P06TU
- Marke:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 671-5335
- Herst. Teile-Nr.:
- FQU11P06TU
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 185mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 185mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
Features and Benefits:
• Voltage controlled P-Channel small signal switch
• High-Density cell design
• High saturation current
• Superior switching
• Great rugged and reliable performance
• DMOS technology
Applications:
• Load Switching
• DC/DC converter
• Battery protection
• Power management control
• DC motor control
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Verwandte Links
- onsemi Einfach SuperFET II N-Kanal 1 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi N-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- onsemi Einfach QFET N-Kanal 1 3-Pin IPAK
- onsemi UniFET N-Kanal5 A 90 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin IPAK
- Vishay IRFU N-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)
- Vishay Typ P-Kanal 3-Pin IPAK (TO-251)