onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:
325-7580
Herst. Teile-Nr.:
RFD14N05L
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.8mm

Höhe

6.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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