Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 9.4 A 48 W, 3-Pin IPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

1,06 €

(ohne MwSt.)

1,26 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 19 Einheit(en) versandfertig
  • Zusätzlich 43 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 4.149 Einheit(en) mit Versand ab 29. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 241,06 €
25 - 491,03 €
50 - 990,98 €
100 - 2490,92 €
250 +0,85 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
541-1613
Distrelec-Artikelnummer:
303-41-373
Herst. Teile-Nr.:
IRFU120NPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.6mm

Breite

2.3 mm

Höhe

6.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 9,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 100 V maximale Drain-Source-Spannung - IRFU120NPBF


Dieser N-Kanal-MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen im Elektronik- und Elektrobereich konzipiert. Mit einem maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 9,4 A und einer Drain-Source-Spannung von 100 V bietet dieser Baustein zuverlässige Funktionalität in verschiedenen Systemen. Der MOSFET ist in einem IPAK TO-251-Gehäuse untergebracht und bietet eine kompakte Lösung für eine effiziente Leistungsübertragung.

Eigenschaften und Vorteile


• Konzipiert für den Betrieb im Anreicherungsmodus, der zuverlässiges Schalten ermöglicht

• Hohe Verlustleistung von 48 W verbessert die Leistung

• Ideal für Hochstromanwendungen in robusten elektronischen Designs

• Einzelne Si-MOSFET-Konfiguration sorgt für vereinfachte Integration

Anwendungen


• Einsatz in Power-Management-Lösungen für Automatisierungssysteme

• Verwendung in Motorsteuerungsschaltungen für Industriemaschinen

• Einsatz in Stromrichtern für erneuerbare Energiesysteme

• Geeignet für Unterhaltungselektronik, die eine zuverlässige Stromversorgung erfordert

• Integriert in Motorantriebe in elektrischen und mechanischen

Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on)-Wert?


Der niedrige Rds(on)-Wert von 210 mΩ sorgt für einen minimalen Durchlasswiderstand, was zu einem verbesserten Wirkungsgrad und einer geringeren Wärmeentwicklung im Betrieb führt. Diese Eigenschaft ist besonders wichtig bei Hochfrequenzanwendungen, bei denen die Verlustleistung erheblich sein kann.

Wie verhält sich der MOSFET bei extremen Temperaturen?


Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C und einer minimalen Temperatur von -55°C ist dieses Gerät für eine gleichbleibende Leistung in anspruchsvollen Umgebungen ausgelegt. Diese Widerstandsfähigkeit macht sie für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, bei denen Temperaturschwankungen üblich sind.

Welche Vorteile bietet der Anreicherungsmodus für Schaltungsentwickler?


Im Anreicherungsmodus kann der Transistor normalerweise ausgeschaltet sein, was die Stabilität der Schaltung erhöht und einen unerwünschten Stromfluss während der inaktiven Perioden verhindert. Diese Funktion bietet Entwicklern eine bessere Kontrolle über die Energieverwaltung des Systems.

Kann dieser MOSFET für Anwendungen mit hoher Leistung verwendet werden?


Ja, mit einer Verlustleistung von 48 W und einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 9,4 A ist dieser MOSFET gut für Hochleistungsanwendungen geeignet. Seine Robustheit gewährleistet Zuverlässigkeit in anspruchsvollen elektrischen Umgebungen.

Verwandte Links