Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 9.4 A 48 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 178-1507
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU120NPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRFU120NPBF
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 210mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Breite | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 210mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 6.1mm | ||
Breite 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 9,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 100 V maximale Drain-Source-Spannung - IRFU120NPBF
Dieser N-Kanal-MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen im Elektronik- und Elektrobereich konzipiert. Mit einem maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 9,4 A und einer Drain-Source-Spannung von 100 V bietet dieser Baustein zuverlässige Funktionalität in verschiedenen Systemen. Der MOSFET ist in einem IPAK TO-251-Gehäuse untergebracht und bietet eine kompakte Lösung für eine effiziente Leistungsübertragung.
Eigenschaften und Vorteile
• Konzipiert für den Betrieb im Anreicherungsmodus, der zuverlässiges Schalten ermöglicht
• Hohe Verlustleistung von 48 W verbessert die Leistung
• Ideal für Hochstromanwendungen in robusten elektronischen Designs
• Einzelne Si-MOSFET-Konfiguration sorgt für vereinfachte Integration
Anwendungen
• Einsatz in Power-Management-Lösungen für Automatisierungssysteme
• Verwendung in Motorsteuerungsschaltungen für Industriemaschinen
• Einsatz in Stromrichtern für erneuerbare Energiesysteme
• Geeignet für Unterhaltungselektronik, die eine zuverlässige Stromversorgung erfordert
• Integriert in Motorantriebe in elektrischen und mechanischen
Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on)-Wert?
Der niedrige Rds(on)-Wert von 210 mΩ sorgt für einen minimalen Durchlasswiderstand, was zu einem verbesserten Wirkungsgrad und einer geringeren Wärmeentwicklung im Betrieb führt. Diese Eigenschaft ist besonders wichtig bei Hochfrequenzanwendungen, bei denen die Verlustleistung erheblich sein kann.
Wie verhält sich der MOSFET bei extremen Temperaturen?
Mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C und einer minimalen Temperatur von -55°C ist dieses Gerät für eine gleichbleibende Leistung in anspruchsvollen Umgebungen ausgelegt. Diese Widerstandsfähigkeit macht sie für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, bei denen Temperaturschwankungen üblich sind.
Welche Vorteile bietet der Anreicherungsmodus für Schaltungsentwickler?
Im Anreicherungsmodus kann der Transistor normalerweise ausgeschaltet sein, was die Stabilität der Schaltung erhöht und einen unerwünschten Stromfluss während der inaktiven Perioden verhindert. Diese Funktion bietet Entwicklern eine bessere Kontrolle über die Energieverwaltung des Systems.
Kann dieser MOSFET für Anwendungen mit hoher Leistung verwendet werden?
Ja, mit einer Verlustleistung von 48 W und einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 9,4 A ist dieser MOSFET gut für Hochleistungsanwendungen geeignet. Seine Robustheit gewährleistet Zuverlässigkeit in anspruchsvollen elektrischen Umgebungen.