Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 160 A 135 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
124-8964
Herst. Teile-Nr.:
IRLU8743PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

160A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

135W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

2.39 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.22mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 160A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 135W maximale Verlustleistung - IRLU8743PBF


Dieser MOSFET ist ein Anreicherungsmodus-Bauelement, das für effiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er nutzt eine fortschrittliche Technologie, um auch im Hochfrequenzbereich gute Leistungen zu erbringen und eignet sich daher für das Energiemanagement in verschiedenen industriellen Szenarien. Mit seinen beeindruckenden Spezifikationen bewältigt er effektiv hohe Stromlasten bei gleichzeitig niedrigem Widerstand und gewährleistet so Leistung unter verschiedenen Bedingungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert den Leistungsverlust während des Betriebs

• Hoher kontinuierlicher Drainstrom von 160 A unterstützt große Lasten

• Spannungsbereich bis zu 30V ermöglicht vielfältige Anwendungen

• Entworfen mit einem IPAK TO-251-Gehäuse für eine einfache Installation

• Vollständig charakterisierte Lawinenkapazitäten erhöhen die Betriebssicherheit

Anwendungsbereich


• Synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler

• Isolierte DC-DC-Wandler in industriellen Umgebungen

• Energieverwaltungssysteme für Computerprozessoren

• Hochstrom-Stromversorgung

Wie verhält sie sich in Umgebungen mit hohen Temperaturen?


Das Gerät arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung unter extremen Bedingungen.

Welche Bedeutung hat ein niedriger RDS(on) für meinen Entwurf?


Ein niedriger RDS(on)-Wert minimiert Leitungsverluste und fördert so eine effiziente Energienutzung und ein effektives Wärmemanagement, was für Hochstromanwendungen unerlässlich ist.

Kann es für Impulsanwendungen verwendet werden?


Ja, sein Design unterstützt die Verarbeitung von gepulstem Strom, wodurch er sich für verschiedene Anwendungen eignet, die ein Einschwingverhalten erfordern.

Welche Faktoren sollte ich bei der Installation berücksichtigen?


Um die Leistung zu optimieren, ist es wichtig, ein angemessenes Wärmemanagement sicherzustellen und die Kompatibilität mit den Spannungs- und Stromspezifikationen des Schaltkreises zu überprüfen.

Werden zusätzliche Komponenten für die Torsteuerung benötigt?


Die Integration von Gate-Drive-Schaltungen kann vorteilhaft sein, um die Schaltleistung zu verbessern, insbesondere bei Hochfrequenzanwendungen.

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