STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 761-0247
Herst. Teile-Nr.:: STU7NM60N
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Stück	Pro Stück	Pro Packung**
5 - 5	2,17 €	10,85 €
10 - 95	1,828 €	9,14 €
100 - 495	1,434 €	7,17 €
500 - 995	1,204 €	6,02 €
1000 +	1,01 €	5,05 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 761-0247
Herst. Teile-Nr.:: STU7NM60N
Marke:: STMicroelectronics

N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm, DPAK second generation MDmesh(TM) Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	MDmesh
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	900 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	45 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	2.4mm
Höhe	6.9mm

STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

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