Vishay SiHU5N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin SIHU5N80AE-GE3 IPAK

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RS Best.-Nr.:
204-7229
Herst. Teile-Nr.:
SIHU5N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

IPAK

Serie

SiHU5N80AE

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.35Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

16.5nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.39 mm

Höhe

6.22mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie hat einen Ron x Qg mit niedrigem Leistungswert (FOM) und eine niedrige Eingangskapazität (Ciss).

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

Lawinenenergie (UIS)

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