Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 50 A 42 W IRFZ44PBF JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 256-7325
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44PBF
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
10,26 €
(ohne MwSt.)
12,21 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 135 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 2,052 € | 10,26 € |
| 10 - 20 | 1,864 € | 9,32 € |
| 25 - 95 | 1,654 € | 8,27 € |
| 100 - 245 | 1,318 € | 6,59 € |
| 250 + | 1,294 € | 6,47 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7325
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.028Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay Semiconductor bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für gewerbliche und industrielle Anwendungen mit einer Verlustleistung von ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220AB-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.
Dynamische dV/dt-Nennleistung
175 °C Betriebstemperatur
Schnelles Schalten
Einfache Parallelstellung
Einfache Antriebsanforderungen
Verwandte Links
- Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 50 A 42 W JEDEC TO-220AB
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 11 A 60 W JEDEC TO-220AB
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 11 A 60 W JEDEC TO-220AB IRF9Z24PBF
- Vishay Typ P-Kanal MOSFET 60 V / 90 A 250 W JEDEC TO-220AB
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 60 V / 50 A 150 W JEDEC TO-220AB
- ROHM Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V / 10.7 A 104 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- ROHM Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V / 10.7 A 104 W, 3-Pin RX3L07BGNC16 JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin IRFB3006PBF JEDEC TO-220AB