Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 8 A 125 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 256-7329
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLIZ14GPBF
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.028Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay Semiconductor bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Der TO-220 FULLPAK beseitigt den Bedarf an zusätzlicher Isolierungshardware in gewerblichen und industriellen Anwendungen. Die verwendete Formverbindung bietet eine hohe Isolierungskapazität und einen niedrigen Wärmewiderstand zwischen dem Flachstecker und dem externen Kühlkörper. Diese Isolierung entspricht der Verwendung einer 100-Mikron-Glimmerbarriere mit Standard-TO-220-Produkt. Der FULLPAK wird mit einem einzigen Clip oder mit einer einzigen Schraubbefestigung an einem Kühlkörper montiert.
Isoliertes Gehäuse
Die Hochspannungsisolierung beträgt 2,5 kV eff
Der Abstand zwischen Sink und Kabel beträgt 4,8 mm
Gate-Antrieb auf Logik-Ebene
Der bei VGS angegebene RDS beträgt 4 V und 5 V
Schnelles Schalten
Einfache Parallelstellung
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