Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 17 A TO-220AB

Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle gewerblichen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220AB-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.

Dynamische dV/dt-Nennleistung
Wiederholbare Lawinenbeständigkeit
Gate-Antrieb auf Logik-Ebene
Schnelles Schalten
Einfache Parallelstellung
Einfache Antriebsanforderungen