Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 200 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

11,76 €

(ohne MwSt.)

13,995 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 935 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 52,352 €11,76 €
10 - 202,108 €10,54 €
25 - 952,066 €10,33 €
100 - 4951,702 €8,51 €
500 +1,364 €6,82 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
256-7327
Distrelec-Artikelnummer:
304-40-860
Herst. Teile-Nr.:
IRL640PBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.028Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

±10 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.65mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle gewerblichen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220AB-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.

Dynamische dV/dt-Nennleistung

Wiederholbare Lawinenbeständigkeit

Gate-Antrieb auf Logik-Ebene

Schnelles Schalten

Einfache Parallelstellung

Einfache Antriebsanforderungen

Verwandte Links