Vishay IRF640 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 125 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 541-0452
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF640PBF
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | IRF640 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 70nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.41mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie IRF640 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 70nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.01mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.41mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
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