Vishay IRF640 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 125 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
541-0452
Herst. Teile-Nr.:
IRF640PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IRF640

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

70nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.01mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.7 mm

Länge

10.41mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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