Vishay IRF640PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 541-0452
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF640PBF
- Marke:
- Vishay
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Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
1,357 €
(ohne MwSt.)
1,615 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,357 € | 67,85 € |
| 100 - 200 | 1,167 € | 58,35 € |
| 250 + | 1,086 € | 54,30 € |
*Bitte VPE beachten
Nicht als Expresslieferung erhältlich
- RS Best.-Nr.:
- 541-0452
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF640PBF
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 180 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 125 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 10.41mm |
| Breite | 4.7mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 9.01mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
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