Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 33 A PowerPAK SO-8

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

31,70 €

(ohne MwSt.)

37,70 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3.000 Einheit(en) mit Versand ab 21. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
50 - 750,634 €
100 - 2250,483 €
250 - 9750,474 €
1000 +0,294 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
256-7433P
Herst. Teile-Nr.:
SIRA18DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0095Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor umfasst Anwendungen wie DC, DC-Umwandlung, Batterieschutz, Lastschaltung und DC-Wechselrichter.

TrenchFET gen IV Power Mosfet

100 % Rg- und UIS-geprüft

Niedriger Qg für hohen Wirkungsgrad

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.