Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 130 A 330 W TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

61,30 €

(ohne MwSt.)

72,94 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 30. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
20 - 483,065 €
50 - 982,855 €
100 - 1982,65 €
200 +2,455 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-5795P
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4310TRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

170nC

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.

Hocheffiziente Synchrongleichrichtung

Bleifrei

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.