Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 120 A 98 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-5883
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR7446TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-5883
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR7446TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 98W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 98W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons MOSFET verbessert die Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit und wird für OR-ing und redundante Leistungsschalter sowie DC/DC- und AC/DC-Wandler und DC/AC-Wechselrichter verwendet.
Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA
Verbesserte Körperdiode dv/dt- und dI/dt-Fähigkeit
Bleifrei
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