Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 39 A 120 W, 3-Pin IRLR2908TRPBF TO-252

Dieser MOSFET ist auf Vielseitigkeit und Effizienz in verschiedenen Anwendungen ausgelegt, die eine präzise Stromsteuerung erfordern, insbesondere in Umgebungen mit beengten Platzverhältnissen. Dank seiner HEXFET-Technologie behält er seine Leistungsfähigkeit auch bei hohen Temperaturen bei und ist damit eine geeignete Option für moderne elektronische und elektrische Systeme. Seine Fähigkeit, eine erhebliche Verlustleistung zu bewältigen, während es unter schwierigen Bedingungen arbeitet, trägt zu seiner Bedeutung bei.

• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von bis zu 39 A für anspruchsvolle Lastanwendungen

• Wird in Stromversorgungsschaltungen für effektives Schalten eingesetzt

Der Wärmewiderstand zwischen Übergang und Gehäuse beträgt etwa 1,3°C/W, was eine effektive Wärmeableitung während des Betriebs unterstützt, die für die Aufrechterhaltung einer optimalen Leistung und Zuverlässigkeit unerlässlich ist.

Es ist wichtig, geeignete Richtlinien für das Leiterplattendesign einzuhalten, wobei der Schwerpunkt auf der Minimierung der Induktivität und der Maximierung des thermischen Kontakts mit dem Substrat liegt, um eine Überhitzung während des Betriebs zu vermeiden.

Ja, er unterstützt gepulste Ableitströme von bis zu 150 A und ermöglicht so die Bewältigung transienter Bedingungen, ohne die Integrität des Geräts zu beeinträchtigen.

Der niedrige RDS(on)-Wert von 30 mΩ ist wichtig, da er die Leistungsverluste beim Schalten reduziert und so die Gesamteffizienz und -leistung der Schaltung verbessert.

Mit einer Schwellenspannung zwischen 1V und 2,5V ermöglicht er eine präzise Steuerung und eignet sich damit für verschiedene elektronische Anwendungen, die ein präzises Schalten erfordern.