Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 192 A TO-220

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RS Best.-Nr.:
257-9265
Herst. Teile-Nr.:
IRF100B201
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

192A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.3mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.

Durchgangsbohrungs-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

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