Teile-Nr.

Infineon HEXFET N-Kanal MOSFET 40 V / 162 A 200 W TO-263

Name: Infineon HEXFET N-Kanal MOSFET 40 V / 162 A 200 W TO-263
Brand: Infineon
SKU: 257-9274P
Availability: InStock

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	162A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	160nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	200W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 162A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 200W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das 40-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Optimiert für 10-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Normalpegel)

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstromträgergehäuse (bis zu 195 A, je nach Matrizengröße)

Kann wellenförmig gelötet werden

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