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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 270 A 330 W TO-262

Name: Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 270 A 330 W TO-262
Brand: Infineon
SKU: 257-9281P
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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	270A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TO-262
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.3mΩ
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	160nC
	Maximale Verlustleistung Pd	330W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 270A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TO-262
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.3mΩ
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC
	Maximale Verlustleistung Pd 330W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO 220-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Durchgangsbohrungs-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

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