Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 200 V / 3.7 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
257-9319
Herst. Teile-Nr.:
IRF7820TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

78mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

330mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das 200-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Der normale Pegel ist für 10-V-Gate-Antriebsspannung optimiert

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Kann wellenförmig gelötet werden

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