Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*

2.120,00 €

(ohne MwSt.)

2.520,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 15. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4000 +0,53 €2.120,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-9321
Herst. Teile-Nr.:
IRF7854TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.4mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das robuste 80-V-n-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Verwandte Links