Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9322
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7854TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRF7854TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der HEXFET-Serie von Infineon, 80 V Drain-Source-Spannung, 10 A kontinuierlicher Ablassstrom – IRF7854TRPBF
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät, das in einem oberflächenmontierten SO-8-Gehäuse für kompakte Leistungsschaltvorgänge geliefert wird. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine moderate Verlustleistung und geringe Leitungsverluste erfordern. Das Gerät entspricht den RoHS-Anforderungen und ist für den Einsatz vorgesehen, bei dem effiziente Schaltvorgänge und thermische Beständigkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 13,4 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste
• 80 V VDS ermöglicht Schaltvorgänge mit höherer Spannung
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 27 nC verbessert die Schaltsteuerung
• 2,5 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen
• 80 V VDS ermöglicht Schaltvorgänge mit höherer Spannung
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 27 nC verbessert die Schaltsteuerung
• 2,5 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Gleichstrommotor-Antriebsstufen
• Ideal für das Energiemanagement in industriellen Steuerungen
• Wird mit Schaltreglern und Umrichtern verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
• Ideal für das Energiemanagement in industriellen Steuerungen
• Wird mit Schaltreglern und Umrichtern verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte gelten während des Betriebs?
Das Gerät nimmt eine Gate-to-Source-Spannung von bis zu 20 V auf.
Welchen Temperaturbereich verträgt er in anspruchsvollen Umgebungen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Leitfähigkeit unter Gehäusediodenbedingungen aus?
Die Vorwärtsdiode weist während der Leitungsereignisse ca. 1,3 V auf.
Wie viele Stifte und welche Befestigungsart werden für die Implementierung von Leiterplatten verwendet?
Er wird in einem 8-poligen SO‐8-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist.