Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
IRF7854TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.4mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das robuste 80-V-n-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

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