Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 21 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9324
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7862TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der HEXFET-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 21 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRF7862TRPBF
Dieser N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse ist ein SMD-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Es arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und ist RoHS-konform, wodurch es sich für Anwendungen eignet, die kompakte, bleifreie SMD-Leistungsgeräte erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Rds(on) von 4.5 mΩ sorgt für geringe Leitungsverluste unter Last
• 30 V Vds ermöglicht Mittelspannungs-Leistungsschaltfunktionen
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromkreise
• Eine typische Gate-Ladung von 30 nC ermöglicht eine moderate Steuerung der Schaltgeschwindigkeit
• Die Verlustleistung von 2,5 W steuert die thermische Belastung in engen Räumen
• 30 V Vds ermöglicht Mittelspannungs-Leistungsschaltfunktionen
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromkreise
• Eine typische Gate-Ladung von 30 nC ermöglicht eine moderate Steuerung der Schaltgeschwindigkeit
• Die Verlustleistung von 2,5 W steuert die thermische Belastung in engen Räumen
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC-Stromverteilungsmodule
• Ideal für Motortreiberstufen auf Platinenebene
• Wird mit Spannungsreglern zum Schalten der Last verwendet
• Kann für Batterieschutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement in kompakten Wandlern
• Ideal für Motortreiberstufen auf Platinenebene
• Wird mit Spannungsreglern zum Schalten der Last verwendet
• Kann für Batterieschutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für das Energiemanagement in kompakten Wandlern
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?
Das Gerät darf ±20 V zwischen Gate und Quelle nicht überschreiten, um eine dielektrische Gate-Belastung zu vermeiden.
Wie wirkt sich die Verpackung auf die thermische Handhabung aus?
Das oberflächenmontierbare SO-8-Gehäuse begrenzt die Wärmeableitung, daher werden Kupferplatten und Wärmeleitungen empfohlen, um die zulässige Leistung von 2,5 W zu verlieren.
Welchem Umgebungstemperaturbereich kann er standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für den Einsatz in einem breiten Temperaturbereich.
Ist dieses Gerät für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?
Es wird nicht angegeben, dass es den Automobilstandards entspricht, und es sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es für die Automobilindustrie geeignet ist.