Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 21 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9324
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7862TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-9324
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7862TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist das 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Optimiert für 5-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Logikpegel)
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Kann wellenförmig gelötet werden
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