Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 21 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9324
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7862TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
6,90 €
(ohne MwSt.)
8,20 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 2.975 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,38 € | 6,90 € |
| 50 - 120 | 1,102 € | 5,51 € |
| 125 - 245 | 1,02 € | 5,10 € |
| 250 - 495 | 0,952 € | 4,76 € |
| 500 + | 0,622 € | 3,11 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9324
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7862TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist das 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Optimiert für 5-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Logikpegel)
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Kann wellenförmig gelötet werden
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1 8-Pin SO-8
- Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 200 V / 3.7 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -12 A 2.5 W SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin SO-8