Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 75 V / 183 A TO-220

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RS Best.-Nr.:
257-9366
Herst. Teile-Nr.:
IRFB7734PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

183A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRFB-Serie von Infineon ist ein 75-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem TO 220-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

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