Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 16 A 52 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-9411
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-540
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3910TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
3,07 €
(ohne MwSt.)
3,655 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 935 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,614 € | 3,07 € |
| 50 - 120 | 0,548 € | 2,74 € |
| 125 - 245 | 0,508 € | 2,54 € |
| 250 - 495 | 0,398 € | 1,99 € |
| 500 + | 0,278 € | 1,39 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9411
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-540
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR3910TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 115mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 115mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFR-Serie von Infineon ist die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs mit bewährten Siliziumprozessen, die Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen bietet. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 16 A 52 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 55 V / 89 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 63 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 9.4 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 2.2 V / 90 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 10 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 79 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 130 A TO-252