Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 16 A 52 W IRFR3910TRPBF TO-252

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RS Best.-Nr.:
257-9411
Herst. Teile-Nr.:
IRFR3910TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

115mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Distrelec Product Id

304-40-540

Automobilstandard

Nein

Die IRFR-Serie von Infineon ist die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs mit bewährten Siliziumprozessen, die Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen bietet. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

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