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Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 270 A 375 W TO-263

Name: Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 270 A 375 W TO-263
Brand: Infineon
SKU: 257-9416P
Availability: InStock

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	270A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.5mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	200nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	375W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 270A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 200nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 375W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

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