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Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263
Brand: Infineon
SKU: 257-9422
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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	210A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 210A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

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