Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 210 A 300 W, 3-Pin IRF3805STRLPBF TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

17,86 €

(ohne MwSt.)

21,255 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2.260 Einheit(en) mit Versand ab 06. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +3,572 €17,86 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2598
Herst. Teile-Nr.:
IRF3805STRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

210A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

190nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

Betriebstemperatur von 175 °C

Fast Switching

Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt

Ohne Leitung

Verwandte Links