Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 99 A 143 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-9456
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR3636TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (3000 Stück, auf einer Rolle mit 3000)*
1.833,00 €
(ohne MwSt.)
2.181,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 06. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,611 € | 1.833,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9456
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR3636TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 99A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.3mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 143W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 99A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.3mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 143W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IRLR-Serie ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 99 A 143 W TO-252
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 100 A 99 W TO-252
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 79 A TO-252
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 2.2 V / 90 A TO-252
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 9.4 A TO-252