Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 8.3 A 2 W TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 257-9467
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-555
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLTS6342TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der HEXFET-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 8,3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRLTS6342TRPBF
Dieser N-Kanal-Transistor wurde zum Schalten und Steuern von Lasten mittlerer Leistung in Durchsteckmontagen entwickelt. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für Designs, die einen geringen Durchlass und eine geringe Verlustleistung erfordern. Das Gerät wird in einem TSOP-6-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert und entspricht den RoHS-Beschränkungen.
Merkmale und Vorteile:
• 17,50 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste
• 30 V Vds ermöglicht das Schalten bei mittlerer Spannung
• 8,3 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 2 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen in beengten Umgebungen
• 11 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Gate-Ansteuerung
• 30 V Vds ermöglicht das Schalten bei mittlerer Spannung
• 8,3 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 2 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen in beengten Umgebungen
• 11 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Gate-Ansteuerung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Motortreiberstufen in kompakten Systemen
• Ideal für das Energiemanagement in industriellen Steuerungen
• Wird mit Gate-Treibern verwendet, die eine moderate Ladungsaufnahme erfordern
• Kann zum Schalten von Gleichstrom in der Messtechnik verwendet werden
• Geeignet für das Prototyping über Durchsteckplatinen
• Ideal für das Energiemanagement in industriellen Steuerungen
• Wird mit Gate-Treibern verwendet, die eine moderate Ladungsaufnahme erfordern
• Kann zum Schalten von Gleichstrom in der Messtechnik verwendet werden
• Geeignet für das Prototyping über Durchsteckplatinen
Welcher Gate-Spannungsbereich kann sicher angewendet werden?
Das Gate kann bis zu 12 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden.
Welche Temperaturen kann er während des Betriebs vertragen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Effizienz aus?
Das Gerät weist eine Durchlassspannung von 1,3 V auf, die den Leitungsverlust während des Durchlassstromflusses beeinflusst.
Ist es für Automobilanwendungen vorgesehen?
Er ist nicht für die Automobilindustrie ausgelegt, entspricht aber den RoHS-Umweltbeschränkungen.
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