Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 306 A TSON

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RS Best.-Nr.:
258-0679P
Herst. Teile-Nr.:
BSC012N06NSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

306A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TSON

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die OptiMOS-MOSFETs von Infineon im SuperSO8-Gehäuse erweitern das Produktportfolio von OptiMOS 3 und 5 und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit, um dem Bedarf an niedrigeren Systemkosten und erhöhter Leistung gerecht zu werden. Die niedrige Verzögerungsladung verbessert die Systemzuverlässigkeit durch eine erhebliche Verringerung der Spannungsüberschreitung, wodurch der Bedarf an Schnubberkreisen minimiert wird, was zu weniger Engineering-Kosten und Aufwand führt.

Niedrigere Temperatur bei voller Ladung

Weniger Parallelen

Reduzierte Überschreitung

Erhöhte Leistungsdichte des Systems

Kleinere Größe

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