Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 161 A 78 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0683
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC019N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
3,17 €
(ohne MwSt.)
3,772 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,585 € | 3,17 € |
| 20 - 48 | 1,415 € | 2,83 € |
| 50 - 98 | 1,35 € | 2,70 € |
| 100 - 198 | 1,24 € | 2,48 € |
| 200 + | 1,165 € | 2,33 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0683
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC019N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 161A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 161A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon OptiMOS 40V ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, wie sie in Servern und Desktops zu finden sind. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen verwendet werden, einschließlich Motorsteuerung und DC/DC-Wandler mit schneller Schaltung.
Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand R DS(on)
Ideal für schnelle Schaltanwendungen
Höchste Systemeffizienz
Weniger Parallelführung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Systemkostenreduzierung
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 100 A TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 100 A TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 8-Pin TDSON