Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 100 A TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 259-1462
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010NE2LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 259-1462
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC010NE2LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Produktfamilie Infineon optimos 25 V setzt neue Maßstäbe in Bezug auf Leistungsdichte und Energieeffizienz für diskrete Leistungs-MOSFETs und System in Gehäuse. Die extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie der niedrigste Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen machen optimos 25 V zur besten Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikation und Telekommunikationsanwendungen. Erhältlich in Halbbrückenkonfiguration (Leistungsstufe 5 x 6). Es minimiert elektromagnetische Störungen im System, wodurch externe Schnubber-Netzwerke obsolet werden und die Produkte leicht zu entwerfen sind.
Einsparung der Gesamtsystemkosten durch Reduzierung der Anzahl der Phasen in Mehrphasenwandlern
Verringerung von Leistungsverlusten und Erhöhung des Wirkungsgrads für alle Belastungsbedingungen
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