Infineon OptiMOS™ 3 BSC600N25NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 25 A 125 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 906-4303
Herst. Teile-Nr.:: BSC600N25NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 BSC600N25NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 25 A 125 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:: BSC600N25NS3GATMA1
Marke:: Infineon

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Rechtliche Anforderungen

RoHS Status: Nicht zutreffend

Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	25 A
Drain-Source-Spannung max.	250 V
Serie	OptiMOS™ 3
Gehäusegröße	TDSON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	60 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.35mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	22 nC @ 10 V
Länge	6.1mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.1mm