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    Infineon OptiMOS™ 3 BSC019N04NSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin Herr TDSON

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    RS Best.-Nr.:
    165-8051
    Herst. Teile-Nr.:
    BSC019N04NSGATMA1
    Marke:
    Infineon

    RoHS Status: Ausgenommen

    Ursprungsland:
    MY
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.100 A
    Drain-Source-Spannung max.40 V
    SerieOptiMOS™ 3
    GehäusegrößeHerr TDSON
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.1,9 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.125 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge6.35mm
    Breite5.35mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Gate-Ladung typ. @ Vgs81 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Diodendurchschlagsspannung1.2V
    Höhe1.1mm

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