Infineon OptiMOS™ 3 BSC320N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 911-0787
Herst. Teile-Nr.:: BSC320N20NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 BSC320N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 36 A 125 W, 8-Pin TDSON

Voraussichtlich ab 01.12.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 5000)

1,669 €

(ohne MwSt.)

1,986 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
5000 +	1,669 €	8.345,00 €

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RS Best.-Nr.:: 911-0787
Herst. Teile-Nr.:: BSC320N20NS3GATMA1
Marke:: Infineon

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Produktdetails

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	36 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	32 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	22 nC @ 10 V
Länge	5.35mm
Breite	6.1mm
Höhe	1.1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C